先回答wensan兄有關Leach教授的Low TIM AMP架構,
原本DB-01前身是準備用MOS當輸出級,如果改變阻值再將兩個源級
並調整偏壓分別拉給POWER MOS,就是Ultima-1 150W
的電路了,與Low TIM AMP輸出級(射或源極隨耦器)類似蠻傳統
的。但是用在後級DT-01還沒問題,單一級源極隨耦當做前級卻
不如理想,所以以前Ultima-1 沒有前級,直到DB架構成功。我
認為並不是失真的問題,而是討厭的MOS輸入電容難以克服,會
影響速度和頻寬。
若是照wensan兄建議的將Q25、Q26的工作範圍可以調高到比
2mA大上30倍到50倍以上,問題是DB-01再前一級仍是JFET,
而非BJT,輸出電流就那麼丁點,寶貴的很,盡可能不分離,所
以串疊級我使用達靈頓對,Q25、Q26我也選hfe較大者。
由於DB-01的Q25、Q26、Q20、Q21都處於active區,所以
反應速度奇快,不過整體slew rate前回我說過DB-01約30V/uS。
不快但沒振鈴,也不慢,50KHz仍舊沒什麼相位差。
skychu兄的提問將"
Q26的C接到Q20的E,而不是接Power。
同樣將Q25的C接到Q21的E"
對不起頭腦昏昏,還想不出個所以然,只不過DB-01目前
Q20.Q21沒有散熱也還可以。
至於DB架構如何用於後級,目前只是將R25、R26改為220 ohm
然後照Leach的AMP一樣將Q20、Q21 E級拉到SANKEN BJT
2SC2922/2SA1216 B級去當70W output。
